Архив метки: Галкин Г.Н.

128, 1981 «Рекомбинационные процессы в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения»

Содержание Галкин Г.Н. Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения возбуждения …3 Нолле Э.Л. Экситоны в полупроводниковых кристаллах при больших уровнях возбуждения … 65 Библиографический список научных работ сотрудников лаборатории физики полупроводников Физического института им. П. Н. Лебедева … Читать далее

Рубрика: 1981г, Том | Метки: , | Комментарии к записи 128, 1981 «Рекомбинационные процессы в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения» отключены