Архив метки: Гиппиус А.А.

37, 1966 «Электрические и оптические свойства полупроводников»

em>Содержание Гиппиус А.А. Излучательная рекомбинация на дислокациях в германии …3 Введение …3 Глава I. Методика эксперимента …8 Глава II. Излучательная рекомбинация в кристаллах германия с плотностью дислокаций 10/3-10/4 см-2 …18 Глава III. Излучательная рекомбинация в кристаллах германия с большой (10/5-10/6 … Читать далее

Рубрика: 1966г, Том | Метки: , , , | Комментарии к записи 37, 1966 «Электрические и оптические свойства полупроводников» отключены