224, 1993 «Оптические и электрические свойства полупроводников.»

Содержание

Засавицкий И.И.

ИНФРАКРАСНАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА А4В6
1. Введение …3
2. Методические вопросы … 5
2.1. Объект исследования …5
2.2. Измерение люминесценции …6
2.3. Криостаты для магнитооптических измерений … 8
2.4.Оптические имерения в условиях гидростатического давления при низких температурах..9
2.5.Измерение спектров фотопроводимости и поглощения в отсутствие фонового излучения..10
3.Излучательная и безызлучательная рекомбинация в полупроводниках типа А4В6………..11
3.1.Кристаллическая и зонная структура полупроводников типа А4В6………………….11
3.2. Сведения из теории излучательной рекомбинации в прямозонных полупроводниках……13
3.3. Измерение спектров спонтанного и вынужденного иизлучения…………………….16
3.4. Об оже-рекомбинации в узкозонных полупроводниках……………………………19
3.5. Плазмонная рекомбинация………………………………………………….24
4. Определение зонных параметров из спектров люминесценции в магнитном поле………..26
4.1. Влияние магнитного поля на энергетический спектр узкозонных полупроводников А4В6.26
4.2. Спектры излучения в квантующем магнитном поле………………………………29
4.3. Параметры энергетического спектра у края зон……………………………….37
4.4. Спиновое расщепление в полумагнитных полупроводниках типа А4В6……………….44
4.5. Выводы…………………………………………………………………51
5. Экспериментальное определение параметров теории сильной связи на атомных
p-орбиталях………………………………………………………………51
5.1. Сведения из теории сильной связи на атомных р-орбиталях(p-модель)…………….52
5.2. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава для твердых растворов PbSe1-хTeх и
PbS1-хSeх………………………………………………………………55
5.3. Определение и обсуждение параметров р-модели ………………………………56
5.4. Эффект низкотемпературного разложения твердых растворов А4В6…………………60
5.5. Выводы…………………………………………………………………62
6. Влияние примесей на оптические свойства твердого раствора Pb1-хSnхTe……………62
6.1. Влияние примесей на квантовый выход и спектры излучения твердого раствора
Pb1-хSnхTe(х-0,2).Обнаружение примесных состояний при легировании кадмием……..62
6.2. Кинетика фотопроводимости эпитаксиальных слоев Pb1-хSnхTe,легированных индием….65
6.3. Бесфоновые измерения спектров фотопроводимости и поглощения эпитаксиальных
слоев Pb1-хSnхTe при низких температурах…………………………………..69
6.4. Модель двухэлектронного захвата на ян-теллеровский центр. Объяснение
результатов наблюдений…………………………………………………..72
6.5. Параметры ян-теллеровского центра и их зависимость от состава. О природе центра..77
6.6 Выводы…………………………………………………………………81
7. Квантово-размерный и деформационный эффекты в эпитаксиальных структурах на основе
полупроводников А4В6………………………………………………………81
7.1. Введение……………………………………………………………….81
7.2. Фотолюминесценция квантово-размерных структур на основе Pb1-хSnхTe……………83
7.3. Влияние деформации на энергетический спектр эпитаксиальных слоев типа А4В6…….87
7.4. Деформационные потенциалы полупроводников А4В6…………………………….90
7.5. Фотолюминесценция квантовых ям в структурах типа PbSe/Pb1-хEuхSe……………..92
7.6. Квантово-размерный эффект в поликристаллических слоях PbSe…………………..96
7.7 Выводы………………………………………………………………….98
8. Перестраиваемые инжекционные лазеры и их применения…………………………..99
8.1. Введение……………………………………………………………….99
8.2. Характеристики диффузионных лазеров………………………………………100
8.3.Лазерные гетероструктуры………………………………………………..105
8.4. Применения инжекционных лазеров…………………………………………108
8.5. Выводы……………………………………………………………….109

Заварицкая Э.И.

ЛОКАЛИЗАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В КРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ С ЧИСТОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ
1. Введение……………………………………………………………….119
2. Краткий обзор теоретических моделей……………………………………….123
2.1. «Слабая» локализация носителей заряда в проводниках с небольшим числом
дефектов……………………………………………………………..124
2.2. Локализация носителей заряда в условиях сильного разупорядочения среды………128
2.3. Явления переноса и локализации носителей заряда в системах с промежуточной
степенью беспорядка……………………………………………………129
2.4. «Гипотеза подобия» в теории «критических явлений»…………………………131
2.5. Скейлинговый подход к задаче Андерсона…………………………………..131
2.6. Уравнение «однопараметрического скейлинга»……………………………….133
2.7. Обсуждение гипотез, положенных в основу скейлинговой теории [70]……………135

3. Выбор объекта экспериментальных исследований……………………………….136
3.1. Об экспериментальном подходе к проблеме андерсеновской локализаци…………..136
3.2. Аргументы в пользу выбора двумерных систем……………………………….137
3.3. Идеальная двумерная система…………………………………………….138
3.4. МДП-структура — как одна из реализации 2d-системы…………………………139
3.5. Поверхность кристаллов — как двумерный объект…………………………….140

4. Свойства 2d-слоев вблизи поверхностей скола кристаллов Ge……………………142
4.1. Скол кристаллов в жидком гелии………………………………………….142
4.2. Промежуточный отжиг поверхностей скола Ge в насыщенных парах гелия………….144
4.3. Раскол кристаллов Gе в вакуумном контейнере, погруженном в жидкий гелий……..146
4.4. Отжиг в атмосфере гелия, водорода и кислорода…………………………….147
4.5. Определение теплоты сублимации адсорбирующего газа………………………..149
4.6. Обобщение данных, приведенных в разд. 4.1-4.5…………………………….151
4.7. Поверхность скола Се и задача Андерсона………………………………….153
4.8. Влияние освещения на поверхностную проводимость…………………………..153
4.9. Физическая картина электронных процессов на поверхности германия……………166

5. Свойства 2а -слоев вблизи границы сращивания бикристаллов Ge…………………171
5.1. Выращивание бикристаллов……………………………………………….171
5.2 Граница сращивания бикристаллов………………………………………….172
5.3. Электронные свойства бикристаллов……………………………………….173
5.4. Сопоставление свойств приповерхностных слоев в германии, примыкающих к
поверхностям скола кристаллов и к границам сращивания бикристаллов………….178
5.5. Особенности электронных свойств поверхностей сращивания при 0<10...............182 5.6. Бикристаллы Gе и задача Андерсона..............................................183 6. Процессы переноса и локализации носителей в двумерных приповерхностных слоях Ge..185 6.1. Квазиметаллическая двумерная проводимость в приповерхностных слоях Ge..........185 6.2. Переход от кчазиметаллической к термоактивированной проводимости...............195 6.3. Законы "подобия" в приповерхностных слоях Ge...................................200 7. Заключение.......................................................................204 Чуенков В.А.

НЕМАГ НА ЦИКЛОТРОННОМ РЕЗОНАНСЕ ТЯЖЕЛЫХ ДЫРОК C ОТРИЦАТЕЛЬНЫМИ МАССАМИ В АЛМАЗЕ
1. Введение……………………………………………………………….213
2. Закон дисперсии тяжелых дырок в алмазе…………………………………….215
3. Решение кинетического уравнения…………………………………………..217
3.1. Решение кинетического уравнения в активной области………………………..218
3.2. Решение кинетического уравнения в пассивной области……………………….220
4. Поперечная дифференциальная проводимость тяжелых дырок………………………..222

5. Обсуждение результатов…………………………………………………….226
5.1.Температура кристалла…………………………………………………….226
5.2. Концентрация примесных атомов и дырок……………………………………..226
5.3. Напряженность электрического и магнитного полей…………………………….227
5.4. Длительность импульса электрического поля………………………………….227

6. Заключение……………………………………………………………….230
Дополнение 1………………………………………………………………..230
Дополнение 2………………………………………………………………..232

1993-224.djvu

This entry was posted in Том and tagged , , . Bookmark the permalink.