177, 1987 «Стехиометрия в кристаллических соединениях и ее влияние на их физические свойства»

Содержание

Предисловие …3

Калюжная Г.А., Киселева К.В.
Проблема стехиометрии в полупроводниках переменного состава типа А2В6 и А4В6 …5

Гуро Г. М., Калюжная Г. А., Мирзоев Ф. X., Шелепин Л. А.
О механизмах внешних воздействий на рост кристаллов…85

Мирзоев Ф.X., Фетисов Е.П., Шелепин Л.А.

Кинетика образования и роста пор в кристаллах …99

Мирзоев Ф.X., Фетисов Е.П., Шелепин Л.А.
О формировании сверхрешеток пор в твердом теле …121

Меркулова С.П., Шелепин Л.А., Шубин А.А.
Структурная релаксация в твердом теле при ударных воздействиях …133

Акимова И.В., Козловский В.И., Коростелин Ю.В., Насибов А.С, Печенов А.Н., Резников П.В., Решетов В.И., Скасырский Я.К., Шапкин П.В.
Влияние стехиометрии в монокристаллических соединениях А2В6 на характеристики полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком…142

Елисеев П.Г., Свердлов Б.Н., Шохуджаев Н.
Пьезооптические эффекты и влияние анизотропной деформации в гетеролазерах на основе GaInPAs/InP …172

Елисеев П.Г., Жердев А.А., Каргапольцев В.С, Таленский О.Н., Харисов Г.Г.
Излучательные характеристики лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs, выращенных из нестехиометрических расплавов …204

Мартовицкая Н.А., Пендюр С.А., Таленский О.Н.
Люминесценция CdS в зависимости от места кристаллов в зоне роста…212

177_1987.djvu

This entry was posted in Том and tagged , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , . Bookmark the permalink.